据科技媒体Wccftech报道，台积电近日公布了其先进工艺路线图的最新动态，确认下一代1.4纳米工艺（A14）研发进展顺利，关键良率表现甚至已提前达到内部预期。这一消息为行业带来了对未来技术发展的更多期待。
台积电透露，A14工艺相较于即将推出的2纳米工艺（N2），在性能、功耗和晶体管密度方面实现了全面突破。官方数据显示，在功耗不变的情况下，A14工艺的运行速度将提升15%；在相同速度下，功耗可降低30%；同时，晶体管密度将提升20%，使芯片在更小的空间内容纳更多功能单元。
A14工艺将全面采用第二代GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并结合全新的NanoFlex Pro标准单元架构。GAAFET技术通过更高效的电流控制，减少了漏电现象，从而在提升性能的同时优化功耗。而新架构则进一步提高了芯片设计的集成度，为A14工艺的突破提供了重要支持。
台积电计划在2028年实现A14工艺的量产，这一时间表也为苹果、英伟达、AMD等高度依赖先进制程的客户提供了清晰的技术升级路线图。
