天科合达发布全球首款8英寸低电阻碳化硅衬底

在近期举办的国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM）上，天科合达首次向全球公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底。

据天科合达透露，这款低电阻衬底的电阻率可控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的核心难点，天科合达科研团队通过技术攻关，成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的技术瓶颈。这一突破为碳化硅功率器件性能的进一步提升奠定了重要基础。

研究人员表示，衬底电阻率每降低1mΩ·cm，器件导通电阻可相应降低2-4%，从而显著减少大电流应用中的能量损耗。这一技术将为800V电驱系统、高压快充、轨道交通及智能电网等高端场景提供强有力的支持。目前，天科合达已率先启动该低电阻衬底的全球送样工作，助力客户提升产品性能。

此外，天科合达在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上也取得了重要进展。据统计，公司碳化硅衬底累计销量已突破100万片。