盛美半导体设备（上海）股份有限公司（简称“盛美上海”，科创板股票代码：688082）近日发布了一款专为宽禁带化合物半导体制造设计的Ultra ECDP电化学去镀设备。该设备主要用于晶圆图形区域外的电化学金（Au）蚀刻工艺，能够实现更高的均匀性、更小的侧蚀以及更优质的金线外观。
据公司介绍，这款Ultra ECDP设备支持多种工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻以及深孔金去镀，同时集成了预湿和清洗腔体，确保高效和精确的加工过程。设备采用先进的多阳极电化学去镀技术，能够实现最小化的侧向蚀刻和优异的表面光洁度，满足化合物半导体制造的严格要求。
盛美上海总经理王坚表示：“随着电动汽车、5G/6G通信、射频和人工智能等领域的快速发展，化合物半导体市场需求持续增长。金因其高导电性、耐腐蚀性和延展性，成为这些器件的理想材料，但其加工难度较高。我们的新型Ultra ECDP设备通过创新技术解决了这些难题，为客户提供高性能的生产解决方案。”
该设备采用模块化设计，能够适应不同衬底（如碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和磷酸锂（Li₃PO₄））的特性，包括重量、应力和厚度等。此外，Ultra ECDP还支持在同一平台内集成电镀和去镀工艺，利用多阳极技术实现对不同区域的精准控制。设备还提供水平全表面去镀方式，避免加工过程中的交叉污染。
Ultra ECDP兼容6英寸和8英寸平台，支持150毫米（mm）、159mm和200mm晶圆尺寸。系统可配置两个开放式片盒和一个真空机械臂，适应多种制造环境的需求。
盛美上海Ultra ECDP电化学去镀设备
Ultra ECDP系统为高精度金凸块、薄膜和深孔去镀提供卓越的均匀性和最小化的侧蚀。
