汉磊携手世界先进推进8寸SiC晶圆商业化

据报道，汉磊与旗下磊晶厂嘉晶在9月17日联合法说会上表示，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务将在2025年上半年跌至谷底，但预计第4季度将有所回温。

汉磊董事长徐建华指出，2025年上半年营运滑坡主要受地缘政治、客户库存管理保守态度以及中国大陆市场内卷效应的多重影响。这些因素如海啸般冲击供应链，但也为新一轮成长积蓄力量。汉磊预计，随着客户备货动能的恢复，产业将在第4季度迎来转机。

在SiC领域，汉磊的第四代平面MOSFET已进入多个客户的试产阶段，并获得高度评价。该技术预计在第4季度小量生产，2026年将成为公司主要成长引擎。此外，汉磊还导入了沟槽式（Trench）制造技术，为客户提供专利代工服务。

面对8寸SiC晶圆的高昂资本支出，汉磊选择与世界先进合作。这种代工分润模式利用了世界先进的现有产线，大幅降低了新厂建设成本，同时让汉磊专注于核心技术的提升。双方计划在2026年上半年试产，第4季度实现商业量产，月产能规划为1500片。

在GaN领域，尽管外界担忧台积电退出GaN代工市场后，其专利技术与客户将转移至世界先进，可能加剧与汉磊的竞争，但徐建华表示，化合物半导体市场空间巨大，双方将共同创造更多商机。

嘉晶预计下半年将实现高个位数增长，2026年Si磊晶业务可能因需求扩产。化合物半导体业务因2025年低基期效应，也将迎来双位数的强劲增长。汉磊则预期代工业务在下半年将实现10~20%的双位数增长，整体营收表现将得益于SiC产品的强劲贡献。

对于2026年展望，汉磊承诺将继续保持双位数的成长动能，推动公司进一步发展。