韩国政府近期公布了多项产业成长计划，其中包括对碳化硅（SiC）功率半导体本土化的支持方案。
据韩国企划财政部（MOEF）消息，日前举行的「成长战略工作小组暨产业竞争力强化部长会议」上，韩国政府公布了超革新经济十五大先行项目。第一波计划涵盖SiC功率半导体、LNG货舱、石墨烯、合金碳钢与K-食品等五大领域。在SiC功率半导体领域，韩国技术本土化比例目前仅约10%，目标是到2030年将这一比例提升至20%以上。
韩国政府计划集中支持SiC晶圆材料、元件及模块供应链的核心技术研发。据规划，2026年将投入249亿韩元（约合1,792万美元），到2028年累计投入902亿韩元。此外，将以首尔大学、成均馆大学、汉阳大学等8所大学为核心，推动化合物功率半导体专业硕博士人才培育。2026年起，还将推动新设备导入以支持制程整合，并在各地建立SiC验证基础设施。同时，政府将通过国民成长基金为企业提供持股投资和低利贷款等支持。
韩国技术研究院（KERI）中心长金炯宇表示，电动车市场仍是SiC功率半导体的主要驱动力，加上充电基础设施，二者合计贡献约80%的市场需求。虽然2024年电动车需求有所减弱，导致SiC市场短期放缓，但中长期前景依然乐观。据市调机构Omdia预测，2023年至2034年间，SiC功率半导体元件市场规模将以年均18.9%的速度增长，2024年市场规模约为45亿美元，到2034年将达到255亿美元。
充电基础设施的技术发展与规模将直接影响SiC功率半导体市场的扩张速度。目前，电动车快充至80%电量需约30分钟，但业界正努力将时间缩短至10分钟以内，甚至达到5分钟的极限。更快、更可靠的充电系统将加速电动车普及，从而带动SiC功率半导体的需求增长。
金炯宇还指出，轨道交通和风力发电领域目前市场规模较小，但长期来看，约10年后也将成为推动SiC功率半导体的关键市场。韩国政府的支持主要集中在收益性较高的领域，范围涵盖1,200~1,700V，但对于3,300V以上高压重工业领域所需的高功率元件，仍需进一步强化相关支持。
