9月12日，拓荆科技发布了一则公告，宣布计划通过定向增发募资不超过46亿元。这笔资金在扣除发行费用后，将用于高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心建设，并补充流动资金。其中，高端半导体设备产业化基地建设项目是公司此前已投入2.68亿元的首次公开发行募投项目，本次拟追加投资15亿元。
据披露，高端半导体设备产业化基地建设项目选址于辽宁省沈阳市浑南区，计划新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等设施，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备制造基地。
拓荆科技自成立以来，一直专注于高端半导体设备的研发，积累了多项具有自主知识产权的核心技术，达到国际先进水平。这些技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中薄膜均匀一致性、颗粒数量控制、快速成膜及设备产能稳定等关键问题，不仅保证了薄膜工艺性能，还帮助客户提升了生产效率并降低了成本。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备产品系列，为集成电路芯片制造提供高端专用设备。
近年来，随着下游市场需求旺盛，拓荆科技凭借在半导体薄膜沉积设备领域的技术实力，业务规模快速增长，产能利用率保持较高水平。2022年至2024年，公司分别实现营业收入17.06亿元、27.05亿元和41.03亿元，年复合增长率达55.08%。然而，随着市场需求持续增长、芯片工艺不断迭代以及国产化率的提升，公司现有产能已难以满足未来订单需求。
拓荆科技表示，本次募投项目的实施将大幅提升高端半导体设备产能，支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设提高生产效率，以满足下游市场及客户需求，进一步扩大公司业务规模，提升市场竞争力。
此外，本项目还将围绕设备硬件创新设计、控制系统及软件开发、高性能薄膜工艺开发等核心领域，对多种新型高端薄膜沉积设备进行研发。
