据公开信息显示，武汉新芯正积极拓展其在RF-SOI晶圆代工领域的产业布局。尽管在SOI生态建设上仍落后于国际厂商格罗方德（GF）和高塔半导体（Tower Semi），但其在国内市场已占据领先地位，领先于中芯国际和华虹等竞争对手。
武汉新芯成立于2006年，与长江存储同属长控集团控股子公司。自2024年9月其科创板IPO申请获受理以来，武汉新芯的公开说明书揭示了其在3D整合与SOI产业生态建设上的关键进展。核心技术团队由孙鹏、周俊等曾任职于中芯国际的资深专家组成，他们负责推动武汉新芯在RF-SOI技术领域的研发与量产。
根据Yole报告，2024年全球RF-SOI市场规模约为41.73亿美元，预计到2026年将增长至44.23亿美元，年均复合增长率为3.6%。而国内半导体产业协会数据显示，国内RF-SOI晶圆代工制造需求每年约为12.52亿美元，占IC制造市场规模的30%。在这一背景下，武汉新芯正通过技术创新和产能扩张抢占市场份额。
武汉新芯于2021至2023年间量产了第一代55纳米制程RF-SOI技术，并于2024年初启动第二代40纳米制程的研发。这一技术在国内处于领先地位，使其能够与多家一线射频前端设计公司展开合作，客户包括国内的射频芯片设计厂商。此外，随着供应链从国外转向国内的趋势日益明显，武汉新芯在客户拓展方面具备显著优势。
武汉新芯的12寸生产线三期项目重点聚焦RF-SOI领域，目标是通过持续升级制程技术、深化客户合作，完善产业生态建设。
