据日东电工9月9日宣布，美国IBM与日本日东电工已签署合作协议，将共同研发新型高分子材料及相关先进封装技术，以应对芯片与封装载板间高密度布线引发的热膨胀与翘曲问题。
在半导体领域，以小芯片（chiplet）技术为代表的人工智能（AI）相关先进封装技术正在快速演进。然而，随着重布线层（RDL）和中介层（Interposer）布线密度的提升以及封装尺寸的增大，翘曲与热膨胀等问题逐渐显现。为应对这些挑战，双方计划开发新型材料，以提高封装的热机械可靠性（thermo-mechanical reliability）。
此次合作不仅聚焦于高分子材料，还将针对日东电工开发的先进封装材料展开研究，涵盖抑制封装载板热膨胀与翘曲、降低微细布线间串扰噪声等方向。IBM全球半导体研发副总裁Huiming Bu表示，IBM在小芯片及先进封装技术开发方面一直处于领先地位。日东电工技术长也强调，希望通过合作加速材料研究，满足AI时代的需求。
此外，IBM正与日本半导体公司Rapidus合作开发2纳米芯片量产技术。Rapidus在获得IBM技术支持的同时，也在推进小芯片与先进封装技术的研发。预计到2027年下半年，前后段制程将实现整合，形成全球首个一体化生产体系并投入量产。
由于Rapidus的技术发展方向与此次合作内容高度契合，IBM与日东电工的研发成果或将为Rapidus提供重要助力，帮助其实现量产目标。
