据半导体设备业者透露，台积电计划整合3座8寸厂（Fab 3/5/8）资源，投入自制EUV光罩护膜（Pellicle）领域。这一举措旨在减少对ASML等供应链的依赖，全面提升EUV先进制程良率，同时降低成本并提高生产效率。
台积电日前宣布将在2年内逐步退出氮化镓（GaN）代工业务，位于竹科的6寸晶圆厂（Fab 2）相关产线也将停止生产。此前，业界盛传台积电将对3座8寸厂进行整合，预计将释出2~3成人力，调派至南科、高雄厂区，以缓解人力短缺问题，并实现成本撙节与资产活化。
熟悉设备供应链的业者指出，台积电退出GaN市场，竹科6寸厂将改建为面板级封装相关的CoPoS厂区，而竹科8寸厂则将大幅调整，其中Fab 3将正式投入自制EUV Pellicle。这一调整不仅有助于优化现有资源，还将为设备与材料供应链带来新商机。
半导体设备业者表示，随着摩尔定律逐渐接近物理极限，台积电近年来通过高额资本支出推进先进制程技术，成功拉开与竞争对手的差距。然而，先进制程设备采购成本高昂，例如EUV设备价格约1.5亿美元，而最新的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备价格更高达3.5亿美元。在此背景下，台积电决定加速自制EUV Pellicle计划，以降低对ASML供应链的依赖。
EUV机台相较于传统深紫外光（DUV）设备，其光罩及Pellicle需进一步调整。Pellicle作为防止尘粒污染的关键保护机制，在EUV微影时代尤为重要。目前，EUV制程大多采用“无pellicle”光罩，但这种方式容易导致生产成本增加和效率降低。因此，包括ASML在内的多家半导体企业近年来积极投入EUV pellicle研发，但由于技术难度高，尚未实现量产。
台积电评估认为，EUV pellicle对于7纳米以下制程的生产效率与成本降低至关重要。通过加速自制计划，台积电不仅能优化现有EUV制程，还能在成本结构上取得优势，进一步扩大与竞争对手的差距。
截至截稿前，台积电官方并未对供应链的相关说法作出正式回应。
