据Tom’s Hardware报道，英特尔财务长David Zinsner近日透露，公司下一代14A制程的单晶圆制造成本将显著高于18A制程。这一现象的主要原因在于14A制程将全面采用ASML的高数值孔径极紫外光曝光设备（High-NA EUV）Twinscan EXE:5200B，其高昂的设备成本成为关键因素。
Zinsner表示，14A制程相较于18A，性能将提升15%~20%，或功耗降低25%~35%。该技术结合了RibbonFET 2升级版环绕栅极晶体管架构和PowerDirect背面供电技术，并通过Turbo Cells设计优化关键时序路径，从而提升CPU和GPU的运算频率，同时兼顾芯片面积和功耗。
现有的High-NA EUV设备单次曝光即可实现8纳米分辨率，较目前Low-NA EUV的13.5纳米有显著提升。尽管Low-NA EUV可通过双重曝光达到相同分辨率，但这会增加制程复杂性并影响良率。此外，High-NA EUV的曝光区域缩小了50%，芯片制造商需要调整设计策略以适应这一变化。
尽管先进晶圆厂的建设成本高达200亿美元起，但购买额外设备对整体投资影响有限。然而，14A制程的研发成本依然庞大，导致其单晶圆制造成本显著高于18A。Zinsner强调，14A制程要实现合理的投资回报率（ROI），必须依赖外部代工客户的订单支持。若无法获得足够的外部需求，英特尔可能暂缓甚至终止该制程的推进。
值得一提的是，随着美国政府注资并要求英特尔在晶圆代工事业中保持51%的持股比例，业界普遍认为英特尔最终会完成14A制程的开发并投入量产。分析人士指出，英特尔正面临高昂制程成本与市场需求之间的平衡挑战，14A制程的推进与否，或将成为其未来竞争力的重要标志。
