据报道，北京晶飞半导体近日宣布，成功利用自主研发的雷射剥离设备完成了12寸碳化硅（SiC）晶圆的剥离与切割。
目前，全球SiC产业仍以6寸晶圆为主流，仅有少数中国企业能够进入8寸制程。而12寸晶圆的商业化应用一直是业界关注的焦点。北京晶飞半导体成立于2023年，作为中国科学院半导体研究所技术成果转化的企业，专注于第三代半导体专用设备的研发。该公司已成功打造全自动SiC雷射垂直剥离产线，能够对6寸和8寸SiC晶锭进行全自动循环加工、切割与研磨，并已通过多家客户的验证。
晶飞半导体指出，12寸晶圆技术的突破对产业具有多重意义。首先，12寸晶圆的可用面积约为6寸的4倍，单位芯片成本有望降低30%至40%。其次，这种加工能力能够解决现有瓶颈，为未来产能扩张提供支撑。此外，本土化设备的落地有助于减少对国外大尺寸加工设备的依赖，提升半导体设备的自主性。
晶飞强调，这一成果不仅体现了公司的研发实力，也得益于北京市科委、中国科学院半导体研究所及京津冀国家技术创新中心等单位的支持。未来，公司将继续加大研发投入，推出更多具有自主知识产权的半导体设备解决方案。
业内人士分析认为，这一进展不仅表明国内在12寸SiC产业链的布局已开始落地，还可能对全球第三代半导体市场的竞争格局产生深远影响。
