9月4日，在无锡举办的“集成电路半导体创新大会”上，半导体设备大厂中微公司董事长兼总经理尹志尧发表演讲，指出当前国内半导体设备研发的难度已超过历史上的“两弹一星”工程。他同时呼吁产业共同抵制恶性“内卷”，维护健康生态。
尹志尧表示，半导体微观加工已逼近物理极限，纳米级甚至原子级的制程精度要求设备满足均一性、稳定性、重复性、可靠性与洁净度。他举例称，从晶体管发展到智能手机，芯片加工面积缩小近一万亿倍，背后依赖的是半导体设备技术的不断创新。以离子蚀刻为例，当前设备已能在比人类发丝直径千分之一甚至万分之一的尺度上加工，挑战制程极限。
他提到，半导体设备研发面临多重挑战。首先是研发与量产间的鸿沟显著，单一样机成功并不等于能够实现大规模生产。其次，市场高度集中，少数国际大厂长期占据主导地位，新进企业需面对冗长的验证周期和极高的进入门槛。此外，知识产权壁垒、高昂的研发成本以及关键零组件和材料对国际供应商的高度依赖，也制约了行业发展。
中微近年的表现凸显了本土设备厂商的竞争力。数据显示，公司已连续14年保持超过35%的营收增长率，2025年上半年增长率更达43.9%。2024年，中微在ICP设备的Spacer蚀刻上实现了线宽均匀性1σ=0.12纳米的精度，接近单原子尺度的加工水准。
在本次展会上，中微推出了6款新产品，涵盖电浆蚀刻、原子层沉积与外延制程。其中，12寸Preforma Uniflash金属栅系列原子层沉积设备成为亮点，针对先进逻辑与存储器制程，标志着本土设备供应商的技术突破。
尹志尧直言，当前产业“内卷”严重，部分企业存在窃取技术、抄袭仿冒、侵犯专利等行为。他建议产业生态应回归理性，避免价格层面的恶性竞争，同时鼓励具备规模的企业合作，减少资源浪费，打造更具韧性的本土供应链。
