近年来，台积电、三星电子（Samsung Electronics）与英特尔（Intel）在先进制程领域的竞争愈发激烈，设备采购进度成为业界关注的焦点。据韩媒Financial News和外媒TweakTown报道，三星正考虑额外采购ASML生产的下一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影设备，以加速2纳米以下先进制程的量产。
分析认为，此举是三星为提升2纳米GAA制程完成度而制定的战略性投资。事实上，三星已于2025年3月在韩国华城园区首次引进ASML的High NA EUV设备EXE:5000，目前正评估是否追加采购更多此类设备。据悉，每台High NA EUV设备售价超过3.5亿美元，远高于现有EUV设备的1.5亿美元。该设备将镜头数值孔径从0.33提升至0.55，有助于实现2纳米以下超微细电路，同时提升半导体制造良率并降低产品缺陷率。
目前，全球半导体厂商对High NA EUV设备的争夺愈演愈烈。英特尔通过共同投资计划，已优先获得6台EXE:5200设备。SK海力士（SK Hynix）近期也宣布在京畿道利川M16厂区引入High NA EUV设备EXE:5200B，成为存储器产业首家在量产厂安装该设备的公司。
据业界分析，三星2纳米试产良率仅30~50%，远低于台积电60%以上的水准。因此，三星希望通过追加High NA EUV设备，同步改善良率并提升生产效率。三星晶圆代工事业部负责人韩镇万（音译）上任后曾向员工表示，虽然三星最早完成GAA制程转换，但在商用化方面仍有不足，将2纳米制程快速量产列为首要任务。台积电则计划在2024年下半年引进High NA EUV设备，加速2纳米制程导入。
韩国业界普遍认为，三星、台积电等大厂为强化2纳米以下先进制程竞争力，可能会持续增加High NA EUV微影设备的部署。该设备由ASML独家生产，每年产量仅5~6台，属于荷兰政府出口管制项目之一。此前，ASML宣布自2025年起正式供应量产用High NA EUV设备EXE:5200B，预计全球半导体大厂在2纳米以下先进制程领域的竞争将更加激烈。
