据外资投行高盛最新研究报告显示，尽管中国近年来在半导体领域发展迅猛，但在光刻机研发这一关键制造环节仍面临瓶颈。目前，中国国产光刻机的技术水平停留在65纳米制程，与国际领先厂商相比至少落后20年。
目前，制造5nm及以下先进制程芯片需要依赖极紫外光（EUV）光刻机，而埃米级制程则需更高数值孔径（High NA）EUV光刻机。这类最先进的设备目前仅由荷兰公司ASML生产。由于ASML的光刻机依赖美国原产的关键零部件，美国政府得以限制其对中国市场的销售。
美国和荷兰政府的禁令对中国科技产业产生了深远影响，使中国本土晶圆制造商难以获取先进光刻机，先进制程芯片制造水平目前仍停留在7nm级别。高盛报告指出，即便中芯国际能够生产7nm芯片，这些芯片很可能仍通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机制造，因为中国尚不具备制造先进光刻机的能力。这些设备的核心零部件主要依赖全球供应商，尤其是美国和欧洲。
光刻技术是芯片制造流程中的关键环节，也是决定性瓶颈。目前，全球领先的芯片制造商如台积电正利用ASML的光刻机大规模生产3nm芯片，并即将量产2nm芯片。相较之下，中国国产光刻机仍停留在65nm制程。
高盛报告还引用公开数据指出，ASML从65nm技术跃升至低于3nm的光刻能力，历时20年，投入高达400亿美元用于研发与资本支出。综合中国当前技术水平、所需庞大投入以及全球供应链的复杂依赖性，高盛认为中国光刻机厂商短期内赶上西方先进技术的可能性较小。这为中国在高端芯片领域实现自给自足的目标设置了巨大障碍。
