湖南三安推出首代Trench MOSFET技术平台来源:李智衍发布时间:2025-08-292506浏览询问 AI据报道，湖南三安半导体（以下简称“湖南三安”）在今年8月正式发布了首代高性能Trench MOSFET技术平台。 据悉，该技术平台的核心静态性能达到行业领先水平，导通电阻最低为1.75 mΩ·cm²，击穿电压超过1400V。此外，湖南三安还计划在下一代产品中将导通电阻进一步降低20%以上，以提升产品的竞争力。 目前，该技术平台已成功通过电性能筛选和可靠性测试，栅氧品质等关键指标表现出色。这些性能使得其产品能够满足新能源汽车、光伏逆变器以及工业电源等高端应用场景的严格需求。 湖南三安表示，未来将持续加大碳化硅技术的研发力度，推动第三代半导体在能源转型和高端制造领域的广泛应用，助力行业实现规模化发展。 新闻来源：李智衍，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
