据韩媒朝鲜日报、Newsis等综合报道，三星电子会长李在熔近日结束了为期17天的美国行程，返回韩国后罕见回应媒体提问，对三星半导体事业在2026年的发展表现出信心。他表示：“我已为2026年的事业做好准备！”
李在熔在美国期间，据传与NVIDIA CEO黄仁勋等产业巨头会面，讨论了高带宽存储器（HBM）等关键合作项目。业界对三星即将通过NVIDIA的12层HBM3E质量测试，以及下一代HBM4的交付充满期待。
与此同时，三星的晶圆代工业务也传来好消息。在李在熔出差期间，三星宣布与特斯拉签订价值165亿美元的晶圆代工合约，计划从2026年起在德州泰勒新厂量产特斯拉的次世代AI芯片。三星德州晶圆厂还获得了苹果次世代CMOS影像传感器（CIS）的订单。
韩国业界分析认为，三星在美国的长期布局，尤其是在德州的晶圆代工厂运营经验，将使其在特朗普政府的半导体关税政策下占据优势。相比之下，台积电虽然也在亚利桑那州等地建厂，但三星的本土化优势更为明显。
技术层面，三星在10纳米级第六代1c DRAM的开发上取得了突破，提前达成良率目标，预计量产时间将比SK海力士提前3至6个月。这一技术将应用于三星的第六代HBM（HBM4），成为2026年HBM市场竞争的关键。此外，三星的第五代HBM（HBM3E）12层产品也即将迎来NVIDIA的大规模订单。
随着三星在存储器、HBM和晶圆代工等领域的技术布局逐步完善，其半导体业务有望在2026年实现全面复苏。李在熔的表态和近期的业务进展，为这场“复活大戏”增添了更多期待。
据业内人士透露，三星的多项技术突破和订单斩获，表明其在2026年的竞争中已做好充分准备。无论是存储器还是晶圆代工，三星都在为未来的市场格局奠定基础。
