8月18日，英诺赛科宣布其第三代700V增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。
据英诺赛科介绍，Gen3系列芯片面积缩减了30%，这得益于先进的工艺优化和结构创新，大幅提升了硅片利用率，为更高功率密度的设计提供了可能。同时，其开关性能提升了20%-30%，电容降低了20%-30%，从而有效减少了开关损耗与驱动损耗，显著提高了系统整体效率。此外，热性能也得到了优化，在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，进一步增强了系统的长期运行可靠性。
全新Gen3 700V系列提供了多种封装选项，包括DFN5x6（极致紧凑）、DFN8x8（平衡性能与尺寸）、TO252（通用性强，散热佳）以及SOT223（经典封装），以满足不同场景的需求。其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，能够高效支持高达500W的应用功率等级。
得益于更低的导通电阻和开关损耗，Gen3 700V系列器件在多个领域展现出广泛的应用前景，包括PD快充/适配器（尤其高功率）、LED照明驱动电源、智能家电电源、数据中心服务器电源以及工业开关电源（SMPS）等。
