浙江大学研发电子束High-NA EUV设备

据Wccftech和南华早报报道，浙江大学成功研发出首台国产商用电子束高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）微影设备，命名为“羲之”。尽管整体性能仍与国际领先水平存在差距，但其定位精度已接近ASML的同类设备，对国内半导体研发能力的提升具有重要意义。

目前，羲之设备的线宽为8纳米，定位精度达到0.6纳米。由于采用逐点写入技术，其吞吐量明显低于ASML的High-NA EUV设备，完成一个晶圆的刻蚀可能需要数小时。因此，该设备目前主要用于科研，尚未具备大规模量产能力。尽管如此，羲之的出现为国内高端芯片研发提供了新的可能性，尤其是在美国商务部工业安全局自2022年起严格限制ASML先进微影设备出口至中国的情况下。

国内半导体产业目前主要依赖深紫外光（DUV）微影设备生产主流芯片。电子束微影技术的引入，有望显著缩小国内与西方国家在先进制程研发方面的差距，助力国内半导体企业开发高端芯片原型产品。然而，受限于当前产能，羲之设备在推动原型产品实现规模化量产方面仍面临较大挑战。

浙江大学研究团队表示，羲之设备未来将与多家企业和研究机构展开合作，进一步拓展其研发和应用领域。这一设备的推广有望缓解国内半导体产业因无法获取先进制程设备而受限的发展困境，推动当地半导体产业的整体升级。