华为鲲鹏930芯片被曝仍为5纳米制程

近日，有网友在社交媒体上分享了一项关于华为最新数据中心芯片“鲲鹏930”的拆解分析。据Wccftech报道，该用户利用电子显微镜观察发现，鲲鹏930内部的SRAM存储器模块特性与台积电2020年量产的5纳米（N5）制程节点相符。

据Geekbench的跑分数据显示，鲲鹏930的性能大致相当于2020年的AMD芯片。尽管N5与N3制程节点在SRAM位元面积上的差距并不显著（N5为0.021微米，N3为0.0199微米），但从整体来看，鲲鹏930的制程技术仍存在一定的时代差距。由于美国制裁的限制，华为无法使用台积电更先进的制程技术，导致其芯片研发进度受阻。

鲲鹏930的封装时间接近2024年底，但其技术基础仍停留在2020年左右的水平。尽管华为在芯片设计上取得了一定进展，但受限于外部环境，其与国际顶尖水平的差距依然明显。

鲲鹏930的推出时间原定于2021年，但由于美国的制裁，华为无法使用台积电更先进的7纳米制程技术，导致产品推进受阻。目前，台积电已进入3纳米量产阶段，并逐步向2纳米迈进，而鲲鹏930的技术水平却未能同步提升。