英诺赛科（Innoscience），作为全球氮化镓（GaN）功率半导体领域的领先企业，近日宣布其第三代（Gen3）700V增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。
核心性能显著提升
相较于第二代半（Gen2.5）产品，第三代700V系列在多个方面实现了性能跃升。芯片面积缩减30%，得益于先进的工艺优化和结构创新，硅片利用率显著提升，从而助力更高功率密度的设计需求。开关性能提升了20%-30%，同时电容降低20%-30%，有效减少了开关损耗和驱动损耗，显著提升了系统整体效率。此外，热性能也得到了优化，在相同应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强了系统长期运行的可靠性。
丰富封装选项，满足多样化需求
全新Gen3 700V系列提供了多种标准封装选项，以适应不同的应用场景。其中包括极致紧凑的DFN5x6、平衡性能与尺寸的DFN8x8、通用性强且散热效果佳的TO252，以及经典封装SOT223。
其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻（Ron）低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，能够高效支持高达500W的应用功率等级。
广泛应用领域
得益于更低的导通电阻和开关损耗，Gen3 700V系列为多个应用领域提供了更高效率、更小尺寸的解决方案。这些领域包括PD快充/适配器（尤其是高功率）、LED照明驱动电源、智能家电电源、数据中心服务器电源以及工业开关电源（SMPS）。
