艾科威研发总监尹昊介绍,碳化硅高温激活炉主要用于碳化硅高温离子注入后的高温激活退火,以及刻蚀后的沟槽平滑等工艺。该设备能够在氮气、氢气等气体氛围下进行高温退火,温度高达1900℃,通过对碳化硅材料在高温环境中的表面改性处理,实现晶圆表面石墨层的制备。
据媒体报道,湖南艾科威半导体装备有限公司(以下简称“艾科威”)近日有一台碳化硅(SiC)高温激活炉正在装车,计划发往外地某芯片公司。
艾科威专注于半导体设备及系统解决方案,其拳头产品之一是管式热工设备立式炉。该设备适用于8英寸及以下尺寸晶圆的氧化和退火工艺。氧化工艺是指在氧气或水蒸气氛围中对硅片进行热处理,从而在硅片表面形成氧化膜,可用作隔离层、表面钝化层或器件结构的介质层。退火工艺则是通过通入惰性气体进行热处理,主要作用是消除晶格损伤和缺陷,最高温度可达1200℃。