据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子计划投资250亿日圆（约合1.7亿美元），在日本横滨设立先进封装研发中心。此举被业内视为三星欲在先进封装领域追赶台积电的重要战略部署，同时借助日本在材料、零组件和设备领域的技术优势，提升自身竞争力。
三星半导体暨装置解决方案（DS）部门的日本法人将在横滨市港未来21地区建设这一研发中心，并计划于2027年3月正式启用。为配合项目推进，三星还计划在当地招募研发人才。横滨市政府已将三星认定为“企业设点促进条例认定事业者”，并提供25亿日圆的补助金支持。
值得一提的是，三星已购入位于港未来21地区的Leaf Minatomirai大楼，总楼地板面积约4.8万平方米（地上12层、地下4层）。该建筑将部分用于研发及试验生产设备的设置。这也是三星自2015年出售东京六本木总部大楼部分股权后，时隔10年再次在日本拥有大型建筑。
三星选择在日本设立研发中心，旨在加强与东京大学以及日本本土企业如Disco、纳美仕（Namics）和Resonac等的合作，进一步提升其在先进封装领域的技术实力。此前，台积电于2019年在东京大学设立研究所，推动先进封装技术发展。业内人士指出，凭借领先的晶圆代工技术，台积电正加速在先进封装领域布局，而三星是中国中国台湾地区企业中唯一能在该领域与之抗衡的竞争对手。
韩国业界分析认为，通过与日本学界及企业的合作，三星有望积累更多封装技术与经验，从而在未来与台积电的竞争中占据更有利的位置。
