据“深圳国资”官微消息，由深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“国创中心”）近日在氮化镓/碳化硅集成领域取得重要进展。
据介绍，目前商用碳化硅功率器件均基于4°倾角的4H-SiC衬底，而这种倾角在氮化镓外延中会导致台阶聚集、表面粗糙等问题。随着氮化镓和碳化硅技术进入8英寸时代，如何在大尺寸4°倾角碳化硅衬底上实现高质量氮化镓外延，成为产业化亟待解决的核心难题。
国创中心首次在商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上成功研制出高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果突破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，为现有硅基氮化镓技术路线提供了极具竞争力的替代方案，同时也为氮化镓/碳化硅混合晶体管的产业化奠定了基础。
国创中心表示，此次研制的8英寸4°倾角4H-SiC上氮化镓外延片具有良好的均匀性与平整度，能显著降低缺陷密度，提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平。这一突破有望从根本上解决器件的可靠性问题，实现规模化应用。
