据韩媒报道，韩美半导体近期与韩国半导体前段设备厂商TES达成合作协议，双方将共同开发混合键合设备（Hybrid Bonder，HB）。这一技术被认为是下一代高端封装的核心，尤其在高带宽存储器（HBM）领域具有重要意义。
混合键合技术通过铜对铜的直接连接，相较于传统的凸块（Bump）工艺，能够显著提升I/O性能和带宽，支持20层以上的高堆叠封装。由于该技术需在晶圆阶段完成异质芯片的直接接合，属于前段制程，因此韩美半导体将结合自身在HBM键合设备领域的经验，与TES在薄膜沉积和清洗设备方面的技术优势展开合作。
TES成立于2002年，主要生产电浆辅助式化学气相沉积设备（PECVD）和干式蚀刻设备，是三星电子和SK海力士的重要供应商。2024年，TES因三星和SK海力士对NAND Flash制程升级的投资而受益，实现营收2,401亿韩元，同比增长63%，并成功扭亏为盈。
全球HBM制造商正积极研发混合键合技术，以满足高层数堆叠HBM的量产需求。韩美半导体计划在2027年底推出用于HBM6的混合键合设备，借助TES的清洗与离子技术，进一步巩固市场领先地位。
