据《Optics Express》期刊报道，中国科学院微电子研究所齐月静研究员团队在极紫外光刻（EUVL）技术领域取得重要进展，提出了一种基于线性辐射通量密度的红外抑制比（IRSR）理论模型，为提升光刻系统性能提供了新思路。
极紫外光刻技术是推动半导体制造工艺迈向更先进制程的核心技术之一。目前主流的LPP-EUV光源通过红外激光轰击锡等离子体产生极紫外辐射，但系统中残余的红外辐射会对曝光光学系统造成热负载，影响光刻稳定性和曝光质量。因此，抑制红外辐射成为关键技术挑战。
研究团队提出的IRSR模型整合了光源能量分布、收集镜几何面形、多层膜反射特性及光栅衍射效率等关键因素，通过积分与降维映射方法，实现了对局部与全局红外抑制比的精确分析。与传统仅依赖衍射效率的评估方法相比，新模型采用多变量综合分析框架，揭示了全局IRSR实际上是局部IRSR的加权调和平均积分，权函数为收集镜表面的线性辐射通量密度。
该研究为收集镜与光谱纯化滤波结构（SPFs）的协同优化及红外抑制比的精密测量提供了理论基础。研究成果已发表在《Optics Express》期刊，论文第一作者为微电子所博士生金浩，齐月静研究员为通讯作者，研究得到了中国科学院战略先导科技专项的支持。
（a）集成SPFs的收集镜示意图，（b）中间焦点处孔径光阑表面的红外能量分布，（c）LPP-EUV系统光路示意图
在（a）均匀分布、（b）朗伯分布和（c）高斯分布的红外辐射源条件下，收集镜表面的线性辐射通量密度随归一化入射口径和椭圆率的变化
在（a）均匀分布、（b）朗伯分布和（c）高斯分布的红外辐射源条件下，入射与零级衍射的红外光沿收集镜子午方向的线性辐射通量微分
论文链接：https://doi.org/10.1364/OE.566106
