台积电将在美建两座先进封装厂，2028年启动建设

据外媒ComputerBase报道，台积电正计划在美国亚利桑那州晶圆厂（Fab 21）附近建造两座先进封装厂，提供CoPoS和SoIC先进封装服务。此举旨在解决目前美国生产的先进制程芯片需运往中国台湾进行封装的问题。

今年3月，台积电在对美投资650亿美元建设三座先进制程晶圆厂的基础上，追加1000亿美元投资，用于建设三座新晶圆厂、两座先进封装厂以及一个研发中心。目前，亚利桑那州4nm制程的晶圆一厂已量产，3nm制程的晶圆二厂也已动工，但缺乏配套的先进封装厂，因此新建封装厂显得尤为迫切。

报道指出，台积电计划在Fab 21附近建造两座专用建筑用于先进封装服务。首个封装设施AP1预计2028年开建，与Fab 21的第三阶段扩建计划同步，可支持N2及更先进的A16制程技术。第二座封装设施AP2将与Fab 21的第四/五阶段同步，但具体动工时间尚未确定。

在技术层面，这两座先进封装厂将专注于CoPoS和SoIC技术。CoPoS采用310×310mm的矩形面板替代传统圆形晶圆，通过“化圆为方”提升面积利用率和产能。SoIC则通过在计算核心下方堆叠缓存或内存芯片实现高性能封装，目前已在AMD Ryzen X3D处理器中得到验证。台积电计划于2026年启动CoPoS测试生产，并在2027年底完成与合作伙伴的验证工作，以争取英伟达、AMD和苹果等主要客户订单。

此外，AP1预计将于2029年末或2030年初投入运营，这与台积电的交货时间惯例相符。