消息称英特尔18A工艺良率超三星

据KeyBanc Capital Markets分析报告显示，英特尔18A（1.8nm）工艺的开发进展迅速，其良率已超过三星SF2（2nm）工艺，但低于台积电N2（2nm）工艺。

目前，英特尔18A工艺的良率已从上一季度的50%提升至55%，而三星2nm工艺的良率约为40%，台积电N2工艺的良率则高达65%。尽管英特尔的良率仍落后于台积电，但其稳步提升为2025年底前实现大规模量产提供了希望。

英特尔18A工艺主要用于内部产品，例如下一代移动CPU Panther Lake。据透露，Panther Lake计划在2025年第四季度实现70%的良率目标。虽然英特尔的良率预计不会超越台积电，但这一工艺节点的成功已足以满足其内部需求。

英特尔计划通过18A工艺在尖端领域站稳脚跟，随后以14A（1.4nm）工艺对外部客户开放，从而与台积电等竞争对手展开更激烈的角逐。这一策略将有助于英特尔在市场上推出更具竞争力的产品。