台积电规划2028年美国先进封装厂，聚焦SoIC与CoPoS技术

据业界消息，台积电计划于2028年在美国启动两座先进封装厂的建设，重点扩展SoIC和CoPoS封装技术，以满足当地对AI和高性能计算（HPC）芯片封装的需求。这两座先进封装厂将与台积电在美国的第三座晶圆厂直接相连。

台积电的第三座晶圆厂（F21 P3）将采用2nm和A16制程技术，设备商已接到通知，预计2025年第二季度开始设备搬入。台积电此前透露，第三和第四座晶圆厂均将采用2nm和A16制程，而第五和第六座晶圆厂则会引入更先进的技术，具体建设计划将根据客户需求推进。

在封装技术方面，台积电的SoIC技术目前处于领先地位，已实现量产，并将与后段的CoWoS及未来的CoPoS技术进行整合。尽管CoPoS技术尚处于起步阶段，但台积电计划在2026年设立首条CoPoS实验线，并在嘉义AP7建设大规模量产厂，目标是在2028年底至2029年间实现量产。

业界人士指出，SoIC技术的成熟度较高，目前已吸引AMD、苹果、英伟达和博通等客户在高端产品中采用。