韩美半导体（Hanmi Semiconductor）近日宣布，计划在2026年前将其热压键合机（TCB）的生产能力提升至约2万亿韩元（约合14.8亿美元）规模。此外，公司还将在2028年后推出无助焊剂（Fluxless）TCB和混合键合机（Hybrid Bonder），以满足高端存储器市场的需求。
据韩媒Money Today和ET News报道，韩美半导体发布了一份企业价值提升计划，其中包括针对高带宽存储器（HBM）的次世代设备开发时间表。公司预计在2027年推出支持HBM5的TC Bonder 5，2028年推出支持HBM6的无助焊剂TCB，并于2029年推出支持HBM7的混合键合机。
TCB是制造HBM的核心设备，而韩美半导体在该领域的全球市场占有率位居第一。无助焊剂键合技术能够在DRAM接合过程中省略助焊剂清洗步骤，从而进一步减少HBM的厚度。混合键合技术则通过将DRAM直接与铜导体连接，实现更薄的设计和更高的性能。
为了支持这些新技术的开发，韩美半导体正在建设第7工厂，未来将作为混合键合机的专用生产线。新生产线总面积约为89,530平方米，预计到2025年，其TCB生产能力将达到1.4万亿韩元规模，并在2026年进一步扩充至2万亿韩元规模。此外，混合键合技术还将满足20层以上堆叠的高端HBM及定制化芯片（ASIC）市场的需求。
