据日经亚洲报道，荷兰半导体设备制造商ASML的技术执行副总裁Jos Benschop透露，公司已启动下一代尖端光刻机的研发工作，以满足未来十年芯片行业的需求。
目前，ASML正与光学合作伙伴卡尔蔡司合作，研究能够单次曝光实现5nm分辨率的设备。Benschop表示，这项技术将足够先进，可满足2035年及以后的行业需求。最近，ASML已开始交付最先进的光刻机，其单次曝光分辨率可达8nm。而精度较低的设备需要多次曝光才能达到类似分辨率，这不仅降低了生产效率，还影响了芯片质量。
数值孔径（NA）是衡量光学系统聚焦能力的重要指标，数值孔径越大，印刷精度越高。ASML现有极紫外（EUV）光刻机的数值孔径为0.33，而最新“High NA”光刻机的数值孔径为0.55。未来，ASML计划开发数值孔径达到0.7或更高的“Hyper NA”光刻机，这将需要对多个关键系统进行重新设计。
Benschop指出，高数值孔径EUV光刻机的大规模应用仍需时间，因为行业需要对这些复杂系统进行测试和验证，并开发相关支持材料和工具。预计这些设备将满足行业需求至本十年末，甚至可能延续到2030年代初。
在合作伙伴方面，日本化学和材料制造商在光刻技术中扮演了重要角色。例如，JSR是优质光刻胶的主要供应商，豪雅、凸版印刷和DNP提供高端光掩模，京瓷和三井化学则分别提供关键组件和防护膜。Benschop还强调了与全球顶级芯片客户如日本索尼和Rapidus的合作重要性。
