据韩媒ET News报导，为推动先进半导体技术发展，美国和日本政府正通过与民间合作，为研究机构引入极紫外光（EUV）微影设备。然而，韩国由于预算限制，其政府主导的半导体研究所仅能采用旧款设备，这一现状引发业界对韩国在先进半导体技术竞争中可能落后的担忧。
美国国家半导体技术中心（NSTC）于2024年2月成立，由美国政府投资50亿美元设立。该中心已将EUV微影设备运入奥尔巴尼纳米技术园区，并计划从2025年7月起向企业提供研发服务。此外，NSTC还计划自2026年开始引入一台价值近5,000亿韩元（约3.69亿美元）的高数值孔径（High-NA）EUV微影设备，以进一步推动高端技术研发。
与此同时，日本政府也在采取类似行动。据透露，日本正在国立研究机构产业技术综合研究所（AIST）建设配备EUV设备的研发设施，目标是2027年投入运营。这一举措旨在强化日本在半导体领域的技术竞争力。
相比之下，韩国在这一领域的进展显得滞后。尽管韩国政府在两年前提出了建立“韩国版Imec”的计划，希望通过引入尖端设备提升研发能力，但该计划目前处于停滞状态。比利时的微电子研究中心（Imec）由比利时荷语区政府资助，与ASML等产业巨头合作，聚焦于EUV设备和2纳米以下技术的研发。
韩国产业通商资源部（MOTIE）与SK海力士等企业合作，在龙仁建设了一座迷你工厂（Mini Fab）。然而，该工厂仅引入了氟化氩（ArF）浸润式设备，而非EUV微影设备。ArF设备虽然在现行业界广泛使用，但在精细电路制造方面存在局限性，难以满足10纳米以下制程的需求。
EUV微影设备由荷兰ASML公司独家生产，每台价格超过2,000亿韩元（约1.47亿美元），每年的维护费用也高达200亿至300亿韩元。目前，仅有三星电子、SK海力士以及台积电、英特尔、美光等少数企业有能力引进该设备。对于中小企业和中坚企业而言，使用EUV设备需要依赖海外研究机构，但高昂的费用和物理距离限制了这一可能性。
据韩国业界人士透露，韩国迷你工厂的整体设备采购预算仅为3,000亿韩元，远不足以投资最先进的EUV设备。业内人士呼吁，为提升韩国企业在EUV技术领域的竞争力，韩国政府需加大投资力度，果断采取行动。
