据日经新闻（Nikkei）等报道，JX金属（JX Advanced Metals）正计划在2026年度（2026/4~2027/3）将其用于数据中心下一代半导体的新型薄膜材料产能提高至目前的3倍左右，以满足人工智能（AI）等领域对半导体制程微缩化的需求增长。
JX金属自2024年起已开始投资，在其子公司东邦钛业（Toho Titanium）位于日本神奈川县茅崎市的茅崎工厂，以及JX金属在日本茨城县的日立事业所白银厂区，布局下一代半导体所需的CVD（化学气相沉积）与ALD（原子层沉积）薄膜材料的生产能力。
随着生成式AI（Generative AI）驱动的数据中心市场和物联网（IoT）设备市场的快速扩张，这些领域对高效能芯片的需求不断增加。而高效能芯片的制造依赖于更微缩、多层化的制程技术，这使得CVD与ALD技术在薄膜形成中的需求迅速上升。JX金属因此决定正式进入相关材料的供应领域。
目前，茅崎工厂已建成生产线并实现新材料的量产，近期已进入全面稼动状态。日立事业所白银厂区则预计在2025年度下半（2025/10~2026/3）启用产线，并逐步增加设备。这两座工厂的总投资额将达到数十亿日圆（约合数千万美元）。JX金属的目标是将上述新材料相关业务的营业利润提升至未来达到100亿日圆（约合6,900万美元）的规模。
JX金属在半导体材料领域已有高市占率的产品，例如溅镀靶材和压延铜箔。公司现正进一步强化其在半导体材料领域的布局，计划将CVD与ALD材料培育为新的获利支柱，推动大规模设备投资与技术开发。
