据市场分析机构Counterpoint最新预测数据显示，长鑫存储（CXMT）今年DRAM出货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。
长鑫存储在DDR5和LPDDR5产品上也实现显著增长。据Counterpoint预期，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%。
据TrendForce最新报告，中国产品在今年第三季度DRAM和NAND存储器合并市场的出货量份额预计将达到10.1%，自去年第二季度首次超过5%门槛（5.4%）以来，仅一年时间市场份额就几乎翻了一番。
尽管增长迅速，长鑫存储在尖端DRAM制造所需的高k金属栅极（HKMG）工艺方面仍面临困难。该工艺是解决精细工艺中不可避免的漏电流问题、改善电容量，并同时加强效能的创新技术。
Counterpoint推测，长鑫存储下一代DRAM很可能采用难度较低的第四代10纳米级（1a）制程。
DRAM制程时代依次为1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代），迭代进展意味着线宽进一步缩小。随着时代演进，DRAM单位面积存储密度、性能与能源效率均有所提升，但制程难度和技术挑战也同步增加。
目前，DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国半导体制造商主导，长鑫存储正在这一领域迅速扩大市场份额，并积极扩充产能，预计2025年月产能将达30万片，年增近50%。
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