据投资研究平台Tegus分享的高层访谈内容，英特尔近期透露，未来芯片制造将不再以“光罩技术”为核心，而是更多依赖晶体管架构的革新，例如GAAFET（环绕栅极）与CFET（互补式场效应晶体管）等技术。这一转变使得蚀刻与材料沉积技术的重要性大幅提升，从而降低了对ASML新一代High-NA EUV光刻机的依赖。
High-NA EUV曾被视为先进制程的关键设备。据报道，英特尔已获得ASML五台High-NA EUV设备的产能，并计划将其用于18A与14A制程。其中，两台设备已在今年投入生产。考虑到ASML每年仅能生产五到六台High-NA EUV设备，英特尔几乎垄断了初期产量。
然而，在“Intel Foundry Direct 2025”大会上，英特尔表示尚未完全承诺将High-NA EUV用于量产，并保留了以传统Low-NA EUV为基础的备用制程流程，以降低技术风险。据消息人士透露，ASML已向英特尔、台积电和三星交付了5台High-NA设备，但大规模交货预计要等到2025年下半年。
中国台湾方面，台积电已获得一台High-NA EUV设备，并享受了价格折扣。不过，台积电资深副总经理暨副共同营运长张晓强近期在介绍即将推出的A14制程时表示，该节点“不一定”会采用ASML最新一代High-NA EUV光刻机。他指出，High-NA EUV设备价格昂贵，可能增加生产成本，且即使不使用该设备，也能实现类似的制程复杂度。
韩国厂商则选择了另一条技术路径。据媒体报道，三星电子和SK海力士正积极推进3D DRAM技术。这种技术通过垂直堆叠方式提升晶体管密度，可以使用ArF光刻技术，无需依赖EUV设备。
最新数据显示，High-NA EUV设备的售价高达3.78亿美元，而ASML现有的EUV设备售价约为2亿欧元。尽管High-NA微影工具能够将芯片设计缩小至三分之一，从而提高密度与性能，但其高昂的成本让业界对其经济效益产生了质疑。
