新型晶体管设计或将降低对EUV光刻设备的依赖

据报道，英特尔一位董事近日提出，未来的晶体管设计可能会减少对先进光刻设备的依赖，特别是在高端半导体制造领域。这一观点引发了业界对芯片制造技术未来发展方向的关注。

ASML公司的极紫外（EUV）光刻机是目前先进芯片制造的核心设备，被台积电等企业广泛应用于硅片上打印微小电路。然而，EUV技术的复杂性极高，需要多学科技术协同支持才能实现高效量产。尽管ASML曾探索过其他技术路径，但最终未能找到成熟的替代方案。

英特尔董事指出，环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型设计，将更多地依赖光刻后的制造步骤，例如刻蚀技术，从而降低光刻技术在高端芯片制造中的重要性。光刻虽然是芯片制造的第一步，用于将设计转移到晶圆上，但后续的沉积和刻蚀工艺同样关键。刻蚀工艺通过选择性去除材料，形成晶体管和电路的最终图案。

目前，大多数晶体管采用FinFET设计，其栅极控制晶体管内部电流。而GAAFET通过将栅极包裹在晶体管周围，提升了控制能力；CFET则进一步将晶体管组堆叠在一起，节省晶圆空间。英特尔董事表示，这些新设计要求芯片制造商更注重横向去除多余材料，而非单纯依赖光刻机缩小特征尺寸。