据韩媒《韩国经济》引述业界消息，近期韩国半导体设备制造商正忙于应对来自中国买家的“大订单”。中国存储器企业在生产LPDDR5 DRAM、高带宽存储器（HBM）等高端产品时，对韩国设备的需求显著增加。为快速获取关键设备，中国企业不惜以原价1.7至2倍的溢价发出紧急订单。
长江存储和长鑫存储成立不到10年，却已分别在NAND和DRAM市场占据一席之地。数据显示，2025年第一季度，长江存储的NAND市场份额达到8.1%，长鑫存储的DRAM市场份额则为4.1%。两家公司采取相似的扩张策略，先在通用市场站稳脚跟，再逐步向高端市场迈进。例如，长鑫存储已成功量产第三代HBM（HBM2E），并计划在年底前量产第四代HBM（HBM3），进一步缩小与国际领先技术的差距。
长江存储在下一代NAND Flash技术研发方面表现突出，其“混合键合”（Hybrid Bonding）技术被认为领先三星电子和SK海力士。然而，生产这些先进制程所需的关键设备大多依赖韩国供应商。由于美国在2024年12月限制24项半导体设备出口至中国大陆，中国企业通常通过中国台湾、香港等地的流通市场绕道采购。
韩国厂商在原子层沉积（ALD）、DRAM封装等专用设备领域具备世界级技术实力，且相较于美日设备，美国对韩国产品的出口监管较少，这为国内企业提供了操作空间。
