稳懋半导体（WIN Semiconductors）近日推出了一项基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术。据公开资料显示，这项技术预计将在2025年第三季度实现量产，为高频射频电路性能带来显著提升，进一步推动GaN技术在5G/6G通信、雷达、电子战以及电力电子等领域的应用。
图源：稳懋半导体
该技术以产品型号NP12-1B为核心，专为满足K波段至V波段频率范围内的高功率应用需求而设计。其在通信、雷达和电子战等领域的卓越线性度、鲁棒性及高可靠性，使其成为高性能射频电路的理想选择。稳懋半导体表示，NP12-1B工艺的成功得益于公司在晶体管改进方面的深厚积累。
NP12-1B工艺采用了先进的源极耦合场板设计（Source-Coupled Field Plate），使其在28V工作电压下仍能保持高击穿电压、增强线性度以及稳定运行的能力。具体而言，其典型的栅极-漏极击穿电压可达120V，为实现高功率密度输出和长期可靠性提供了保障。此外，该技术能够最大限度减少信号失真和互调，满足现代通信环境中对信号完整性的严苛要求。
为简化客户设计流程，稳懋半导体为NP12-1B配备了完整的工艺设计套件（PDK），包含精确的大信号和小信号模型，从而缩短产品开发周期。同时，该工艺还具备增强的防潮选项，为塑料封装提供出色的防潮性能，进一步提升器件在不同环境条件下的耐用性。
