瑞萨解散SiC团队，转投GaN

据《日经新闻》近日报道，日本汽车IDM大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅（SiC）功率半导体。除了取消原定2025年初的量产规划，相关团队也解散。
供应链人士指出，瑞萨的强项是在运算类逻辑IC，功率元件过往以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为主。瑞萨近年来开始涉足SiC和氮化镓（GaN）等第三代半导体领域，主要为了应对电动车（EV）产业的需求。
然而，2024年全球电动车市场需求疲软，欧美日等主要车厂纷纷调整战略，导致瑞萨原计划的SiC订单大幅缩水。尤其在中国这一全球最大电动车市场，国产车厂主导了超过60%的市场份额，此外，日系车厂如丰田（Toyota）和本田（Honda）在中国市场加强与国产厂商合作，瑞萨可能认为该市场已无利可图。
数据显示，由于中国碳化硅产能的持续扩大，碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。2024年下半年，6英寸碳化硅衬底价格已跌至500美元以下，接近生产成本线，相比2022年时的价格暴跌了超过90%。
2025年美国可能实施的汽车关税政策，将对日本汽车产业造成冲击，进一步削弱市场需求。在此背景下，瑞萨被传有意出售SiC相关资产，因其设备使用率较高且投入时间较短。不过该信息仍需以其公告为准。
值得注意的是，瑞萨近期与美国传感器与功率半导体制造厂Polar Semiconductor达成战略合作，Polar将为瑞萨生产符合车规级的650伏8寸GaN元件。这表明瑞萨在第三代半导体领域重新布局，选择重押GaN而放弃SiC，可能与美国市场的需求有关。市场预估，瑞萨将资源整合，势必将更集中精力于车规逻辑IC项目。
2024年SiC功率半导体市场销售额排名中，比亚迪、士兰微、斯达半导体这3家国内厂商跻身全球前十。反观国际市场，美国SiC晶圆厂Wolfspeed近期由于65亿美元的巨额债务，正准备申请破产重组；罗姆半导体（Rohm）因其向8英寸器件转移而增加的固定成本，出现了12年来的首次亏损；意法半导体（STM）因Tesla销售表现不佳，市场份额也随之出现下滑；英飞凌（Infineon）和安森美（Onsemi）也进行裁员与人力重新配置。

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