中国台湾SiC厂商格棋化合物半导体近期公布了其SiC项目的最新进展。公司正全力推进8英寸SiC晶圆产能建设，预计到2025年底，8英寸SiC长晶炉将扩充至百台规模。届时，格棋将正式进入日本、欧洲和北美等国际市场，进一步完善其全球布局。
格棋成立于2022年，专注于第三代化合物半导体的市场需求与技术开发，团队成员在该领域拥有超过10年的经验积累。2023年5月，格棋通过物理气相传输（PVT）法成功研发出8英寸N型晶体。
2024年10月，格棋位于桃园中坜区的新工厂正式落成。该工厂总投资达6亿新台币（约合1.33亿人民币），规划月产能为5000片6英寸碳化硅衬底，预计在2024年第四季度实现满产。此外，新厂还计划在年底前安装20台8英寸长晶炉和100台6英寸长晶炉，进一步提升整体产能。
在新厂落成仪式上，格棋宣布与日本三菱及中国台湾“中科院”达成合作。与三菱的合作将聚焦于扩大日本消费类和车用市场的SiC产品布局，而与中国台湾“中科院”的合作则致力于开发高频通讯用碳化硅组件，为5G/B5G通讯基础设施提供核心支持。
