新加坡正加速布局第三代半导体领域。据报道，新加坡政府宣布投入10亿新元（约合7.45亿美元）设立全新半导体研发中心，重点聚焦先进封装和第三代半导体材料等前沿领域。此外，新加坡还启动了全球首条200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工业级开放研发生产线。该生产线由新加坡科技研究局（A-STAR）微电子研究所（IME）运营，整合了从材料生长、缺陷分析到器件制造与测试的完整流程，旨在解决SiC技术开发中的高成本和技术分散问题，推动其在电动汽车、电网及数据中心等高功率应用领域的商业化进程。
新加坡贸易和工业部第二部长陈诗龙透露，该生产线可供本地企业使用，特别是服务于电力电子终端市场的公司。这为本地企业提供了一个先进的研发与生产平台，助力其提升技术水平和市场竞争力。此外，该产线还与ASM、Centrotherm、Soitec等公司展开合作。其中，Centrotherm提供高温退火与氧化设备，IME将与Soitec联合开发SmartSiC™技术，结合Soitec的SmartCut™工艺与IME的中试线，目标生产节能型高质量SiC晶圆。
未来，A-STAR还将与意法半导体、ULVAC和新加坡国立大学等达成合作。其中，与意法半导体的合作聚焦研发SiC功率器件及封装模块，优化汽车与工业应用性能，推动绿色出行及能效提升。
在生产制造环节，新加坡的Soitec工厂正积极扩产。Soitec计划到2026年将全球年产能提升至450万片，其新加坡工厂扩产300mm SOI晶圆，并涵盖SiC材料生产。这进一步巩固了新加坡在全球半导体产业链中的地位。
