近日，罗姆半导体发布了一款全新的隔离型栅极驱动器IC，型号为“BM6GD11BFJ-LB”，专为600V级高耐压GaN HEMT设计。该产品能够显著提升GaN器件在高频、高速开关过程中的稳定性，为电机驱动和服务器电源等大电流应用场景提供更高效的解决方案，同时助力设备体积缩小和性能优化。
图源：罗姆半导体
图为BM6GD11BFJ-LB，SOP-JW8封装(4.90mmx6.00mm，H=Max. 1.65mm)
这款驱动器IC是罗姆推出的首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型产品。其通过罗姆自主研发的片上隔离技术，大幅降低寄生电容，从而支持高达2MHz的高频驱动。这一特性不仅充分发挥了GaN器件的高速开关优势，还推动外围元器件的小型化，进一步减少安装面积。
此外，新产品在抗干扰性能方面表现突出。其共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150V/ns，比以往产品提升了1.5倍，有效避免了高转换速率引发的误动作问题，为系统运行提供了更稳定的保障。同时，最小脉冲宽度较以往缩减33%，导通时间缩短至65ns，即使在更高频率下也能确保最小占空比，从而有效降低损耗。
该驱动器IC支持4.5V～6.0V的栅极驱动电压范围，绝缘耐压为2500Vrms，能够充分释放包括罗姆EcoGaN™系列在内的多种高耐压GaN器件的性能潜力。例如，它可与罗姆新推出的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”完美搭配。此外，其输出端的消耗电流仅为0.5mA（最大值），达到业界领先的低功耗水平，有助于降低待机功耗。
