在台积电北美技术研讨会上，台积电透露其A14（1.4nm）工艺芯片无需依赖High NA EUV光刻机进行制造。据台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang介绍，从2nm到A14工艺，台积电能够保持类似的工艺步骤复杂性，且无需采用High NA技术。A14工艺预计将在2028年投入生产，而此前公布的A16工艺则计划于2026年底推出，同样不依赖High NA EUV光刻设备。
相比之下，英特尔在High NA EUV光刻技术上的布局显得更为积极。据报道，英特尔是全球首家获得ASML High NA EUV光刻机的公司，并计划于2025年在Intel 18A制程中使用该设备。然而，台积电迟迟未采用High NA技术的主要原因可能是其高昂的成本。据称，一台High NA EUV光刻机售价高达3.8亿美元，是上一代Low NA EUV光刻机（约1.8亿美元）的两倍多。台积电显然认为，使用Low NA EUV光刻机进行多次图案化更具经济性，同时还能利用现有设备的高良率优势。
此外，台积电A14工艺的首款产品并不会引入背面供电技术，而支持该技术的A14P工艺预计将在2029年推出。高性能版本A14X则可能成为High NA EUV光刻技术的潜在候选产品。尽管英特尔和三星在High NA EUV领域积极布局，以追赶台积电在先进制程上的领先地位，但高昂的开发成本仍是他们需要面对的挑战。
在合作方面，英特尔新任CEO陈立武（Lip-Bu Tan）透露，他近期与台积电CEO魏哲家及创始人张忠谋会面，探讨双方潜在的合作领域，目标是实现双赢。这种合作可能会为半导体行业带来新的动态。
