近日，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称上海光机所）宣布在极紫外光（EUV）光源技术上取得重大进展，成功搭建了EUV光源实验平台。这一研究成果刊登在《中国激光》2025年第6期，并被选为封面文章。
据《中国激光》报道，该研究由上海光机所研究员林楠领衔，团队针对1微米固体激光激发锡（Sn）靶产生EUV辐射的特性展开深入研究，在能量转换效率（CE）方面实现突破，最高达到3.42%，接近国际领先水平。这一成果超越了瑞士苏黎世联邦理工学院和荷兰ARCNL的研究记录，尽管与商业化CO₂激光驱动系统的约5.5%仍有差距，但已成为中国在该领域的里程碑。
极紫外光曝光技术是制造5纳米及更先进芯片的关键所在，其核心在于高效、稳定的EUV光源。目前，全球仅有荷兰ASML掌握此项技术并主导市场。然而，由于地缘政治因素，ASML受到美方施压，对中国禁售此类先进设备。面对这一局面，中国亟需突破EUV光源自主化难题。林楠团队的研究成果为解决这一“卡脖子”问题提供了新的技术路径。
林楠曾担任ASML光源技术负责人，早年在欧洲接受科学训练，师从2023年诺贝尔物理学奖得主Anne L'Huillier，并获得欧盟玛丽·居里学者计划资助。2021年回国后，他迅速组建团队，搭建了中国首个固体激光驱动EUV光源实验平台。团队采用高能效固体激光取代ASML商用设备中的CO₂激光，展现了中国独特的技术路径。
研究显示，1微米激光经过十年发展，已能达到千瓦级功率输出，未来甚至可能突破万瓦级。其优异的电光转换效率和紧凑结构，有望成为新一代EUV光刻设备的核心光源。这一技术体系为中国实现自主可控的EUV设备提供了新选项。
尽管ASML CEO Christophe Fouquet对中国制造EUV曝光机仍持怀疑态度，认为尚需时日，但林楠团队的进展表明中国在这一领域的研发从未停歇。据ASML 2024年度财报显示，中国已成为其最大单一市场，营收达101.95亿欧元，占总营收的36.1%，首次超越中国台湾，远高于美国的16%。这一数据凸显了中国在全球半导体设备供应链中的重要地位。
