在近日举办的慕尼黑上海电子展（Electronica China）和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）上，英诺赛科展示了多款氮化镓（GaN）产品及解决方案。
英诺赛科在数据中心领域展示了多款创新产品，包括双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V 双向器件（VGaN）、大功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四相交错Buck、4.2kW服务器电源方案等。这些产品为数据中心和人形机器人应用提供了高效的解决方案。
图源：英诺赛科
据英诺赛科介绍，其100V GaN产品是全球首款量产产品，采用先进的双面散热 En-FCLGA 封装，导热率比传统封装高出65%。另一款产品INV100FQ030C是全球首款100V 双向器件（VGaN），支持双向导通和双向关断，采用FCQFN4x6封装，具备超低导通电阻和更宽的SOA边界，适用于48V BMS系统和48V总线负载开关。
此外，英诺赛科还推出了大功率合封氮化镓 ISG6121TD，这是一款行业首发的大功率合封氮化镓产品，集成了栅极驱动和短路保护的GaN功率IC，采用TO-247-4L封装，可应用于数据中心/AI服务器PSU、车载OBC和DC-DC转换器，功率密度比传统方案高2~3倍。
2kW四相交错Buck方案是2025年全新发布的产品，采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗INS2002FQ和4颗INN100EA035A实现功率传输，效率超过98%。而4.2kW服务器电源方案则是与客户合作开发，相比传统电源，轻中载电能损耗减少至少30%，转换效率超过96%。
