第三代半导体联盟发布两项SiC单晶生长用石墨标准

在第三届九峰山论坛（JFSC）暨化合物半导体产业博览会（CSE）期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）正式发布了两项关于碳化硅（SiC）单晶生长用等静压石墨的标准。这两项标准分别是《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法》（T/CASAS 036—2025）和《碳化硅单晶生长用等静压石墨》（T/CASAS 048—2025）。

这两项标准的主要起草单位包括赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所等。

等静压石墨是物理气相传输法（PVT法）生长SiC单晶的重要耗材，占SiC衬底生产物料成本的约30%。其国产化、产业化和规模化发展，显著降低了SiC的成本，推动了SiC器件在光伏、储能、工业变频等领域的广泛应用，为我国的双碳战略目标提供了重要支持。

未来，CASA联盟将继续围绕第三代半导体材料、器件及应用领域，加快关键标准的研制与国际化布局，助力我国第三代半导体产业在全球价值链中占据更有利的地位。