据《经济日报》报道，中国电机工程学会电力系统电力电子器件专委会主任委员邱宇峰指出，碳化硅作为第三代半导体材料，取代传统硅基材料是行业发展的必然趋势。碳化硅的应用将呈现两波浪潮，第一波集中在电动汽车领域，第二波则聚焦于电网领域。未来，碳化硅在电网中的需求量有望比肩新能源汽车市场。
国家电网中国电力科学研究院电力电子所副总工程师杨霏表示，目前碳化硅器件在电网中的应用仍处于示范阶段，但其对新能源汽车和智能电网的渗透率正在逐步提升。随着分布式电源进入配网并形成有源配网，电力电子技术将成为新型电力系统的刚需。一旦形成刚需，电网对碳化硅器件的需求量将呈现数量级增长。
万伏千安级碳化硅器件的研发正在加速推进，预计在未来几年内实现样品研制并逐步进入商业化批量应用。届时，国产碳化硅器件有望全面覆盖高压输电领域，推动新型电力系统建设。
天岳先进在碳化硅领域取得重要突破。据天岳先进介绍，基于量产的n型碳化硅衬底制备的单极型MOSFET器件，主要应用于600-1200V的中压场景。而对于特高压系统10kV以上的耐压需求，p型碳化硅衬底制备的双极型IGBT器件展现出巨大潜力。基于p型衬底的SiC IGBT模块不仅可减少50%的串联器件数量，还能降低换流阀损耗40%以上，单条特高压直流线路年节电量可超1亿度。
目前，我国在n型碳化硅衬底领域已取得重要进展，但p型衬底因技术门槛较高，仍处于产业化初期阶段。在SEMICON China2025展会上，天岳先进展示了6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型、导电p型及导电n型碳化硅衬底。
