据媒体报道，4月16日，美国半导体代工厂商Polar Semiconductor（简称“Polar”）宣布与瑞萨电子株式公司（简称“瑞萨电子”）达成一项战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术。双方将共同推动该技术的商业化生产。
Polar位于明尼苏达州的200毫米车规级大批量制造工厂将成为合作的重要基地。该工厂已升级了先进的加工和自动化设备，未来将为瑞萨电子及其他客户生产高压650V级硅基氮化镓器件。此次合作将助力扩大GaN器件在汽车、数据中心、工业、航空航天和国防等关键领域的应用。
瑞萨电子与Polar的合作不仅强化了美国本土的半导体供应链，还通过创新器件架构和200毫米制造工艺显著提升了成本效率。这一合作将推动GaN技术在电源转换市场的广泛应用，涵盖人工智能、能源、工业、电动汽车及高价值物联网等领域。
Polar Semiconductor总裁兼首席运营官Surya Iyer表示，此次协议彰显了公司对提升国内半导体生态系统的承诺。瑞萨电子电源产品集团高级副总裁兼总经理Chris Allexandre也指出，此次合作将确保美国GaN产品的制造能力，满足客户对高性能电源解决方案的需求。
通过结合Polar的制造实力与瑞萨电子的技术优势，双方将为市场提供更具竞争力的GaN器件。
