据媒体报道，英诺赛科在国际专利诉讼中取得了重要胜利。美国专利商标局（USPTO）近期裁定，英诺赛科与美国宜普（EPC）之间的专利争议中，涉及的US 294号专利无效，标志着英诺赛科在此次诉讼中胜诉。
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是我国两大重点方向。SiC领域近年来技术突破显著，主流6寸基板市场竞争激烈，而8寸基板的生产许可则受到严格限制。相比之下，GaN产业的发展则由英诺赛科长期主导。尽管其产能和价格优势明显，但企业仍处于亏损状态。
英诺赛科近年来在国际市场上快速扩张，但专利诉讼成为其发展的一大障碍。2023年，EPC向美国国际贸易委员会（ITC）提起诉讼，指控英诺赛科侵犯4项专利并申请禁售。英诺赛科积极应对，陆续解决了其中三项争议，最终在US 294号专利上获得裁定胜利。业内人士指出，这一判决对数据中心电源供应器（PSU）市场具有一定影响，但因地缘政治因素，对中美竞争格局的实际影响有限。
与此同时，2024年英诺赛科还面临来自功率半导体巨头英飞凌（Infineon）的两次专利诉讼，这些案件被认为是英诺赛科当前最大的挑战。外媒分析，英飞凌的诉讼覆盖中高压GaN领域，尤其是在工业和车用市场具有重要意义。尽管如此，英诺赛科凭借其价格优势和3C领域的强大渗透力，仍在部分海外市场中占据一席之地。
英诺赛科近期发布的2024年财报显示，其8英寸GaN芯片出货量达6.6亿颗，良率达到95%，单位成本下降40%，总营收同比增长近40%。其中，海外市场占比达到15%，同比增长1倍。毛利率从-61.6%提升至-19.5%，改善显著。此外，车规级芯片、AI与数据中心芯片以及消费性电子领域均实现了快速增长，人形机器人100W关节机芯片也已实现量产。
为应对国际专利战，英诺赛科通过全球专利布局、战略性收购以及与苹果、特斯拉等大客户合作，逐步增强自身竞争力。业内人士认为，尽管英诺赛科在专利诉讼中取得胜利，但未来仍需面对欧美标准必要专利（SEP）在新能源车领域的压力。
供应链业者指出，英诺赛科作为垂直整合元件制造商（IDM），其模式与依赖台积电代工的欧美GaN企业形成鲜明对比。这种差异不仅体现在生产方式上，也反映在专利布局和生态合作中。媒体分析称，此次胜诉为中国GaN产业的国产化进程注入了信心，但英诺赛科仍需在国际市场中持续发力，以应对更多潜在挑战。
