2025年4月1日，ST通过其微信公众号宣布与英诺赛科在氮化镓（GaN）领域达成合作。根据双方协议，ST与英诺赛科将共同推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内推动该技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的广泛应用。
ST表示，双方将通过灵活的供应链布局，提升各自的氮化镓产品组合与市场供应能力。英诺赛科作为一家专注于8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造的企业，可以借助ST在中国以外的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而ST也能利用英诺赛科在中国的产能生产自有晶圆。这一合作将显著增强双方的供应链韧性，以满足不同应用场景的需求。
意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis指出，ST与英诺赛科均为集成器件制造商（IDM），此次合作将充分发挥IDM模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，ST将加速氮化镓功率技术的部署，进一步完善现有的硅（Si）和碳化硅（SiC）产品组合；另一方面，ST将通过灵活的制造模式更好地服务于全球市场。
英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士也表示，此次战略合作将进一步推动氮化镓技术的普及。双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术，助力其在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器等领域的应用。此外，氮化镓功率器件因具备显著的轻量化优势，正被广泛应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
