据意法半导体官方消息，4月1日，意法半导体（ST）与英诺赛科共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将结合各自的技术与资源优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力，并增强供应链的灵活性与可靠性。
根据协议内容，双方将联合推进氮化镓功率技术的研发计划。未来几年内，该技术将在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等众多领域实现广泛应用。协议还规定，英诺赛科可利用意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的制造能力生产其自有晶圆。这种灵活的供应链布局旨在拓展双方的产品组合与市场供应能力，以满足不同应用场景下客户的需求。
氮化镓功率器件以其优异的材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆。其显著优势包括降低能耗、提升效率、缩小体积与减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源和光伏逆变器等领域快速普及。同时，由于其轻量化特点，该技术还被广泛应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将充分发挥IDM模式的优势，为全球客户创造更多价值。意法半导体将加速氮化镓功率技术的部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合，同时通过灵活的制造模式更好地服务于全球市场。”
英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科已率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多个领域市场。我们非常高兴与意法半导体达成战略合作，这将加速氮化镓技术的普及，并推动下一代技术的开发。”
